Innoscience Technology Co., Ltd.

Innoscience (イノサイエンス)社はGaN-on-Siliconを 8インチウェハで量産している垂直統合型メーカです。GaN単体でノーマリィオフを実現。低耐圧から高耐圧、ドライバ内蔵や双方向専用製品などをラインアップ。高速なスイッチング、高い熱伝導率、低いオン抵抗などGaNの特長を生かし、システムの高性能、高効率、小型軽量化に貢献します。

低耐圧・高耐圧GaN HEMT

Low Voltage(30V~150V)、High Voltage(650~700V)に対応した、低Rds(on)、低Ciss、低Qg製品をラインアップ。
面実装タイプ( TOLL、DFN、CSPなど)からTO-220(F)の挿入タイプ
パッケージ及びウェハでの提供など幅広い対応が可能です。

ゲートドライバ内蔵型GaN HEMT/ゲートドライバIC

ゲートドライバを内蔵したシングル&ハーフブリッジ製品をラインアップ。
面倒なゲートドライブ回路の設計を不要にし、システム構築を容易にすると共にダウンサイジングに貢献します。またゲートドライバ単体もご用意しております。

双方向GaN HEMT

1素子で双方向スイッチの構成が可能な製品をラインアップ。
MOSFETのようなデバイス内に寄生ダイオードを持たないことで、1素子での双方向スイッチを実現。部品点数、組立工数、基板面積低減に貢献します。

会社情報
Innoscience Technology Co., Ltd.
所在地
本社:中国 広東省 珠海市
工場:中国 広東省 珠海市、江蘇省 蘇州市
主要アプリケーション
採用分野
  • スイッチング電源、バッテリーマネージメントシステム、クイックチャージャ
  • スマートフォン、モバイルPC、サーバ用電源、オーディオアンプ、モータドライバ
  • 車載用オンボードチャージャ、車載用DCDCコンバータ 他